Gigabyte GP-AG70S1TB-P SSD-накопитель 1000Gb, Read up to 7000Mb/Write up to 5500Mb PCIe GEN4

Подробное описание на сайте производителя

Твердотельный накопитель Gigabyte GP-AG70S1TB-P 1.0 , 1000Gb, Read up to 7000Mb/Write up to 5500Mb PCIe GEN4

Контроллер PCIe 4.0x4 2-поколения
Прогрессивный PCIe 4.0-контроллер 2-поколения Phison PS5018-E18 и высокоскоростные микросхемы флэш-памяти 3D TLC NAND обеспечивают накопителю великолепную скорость - до 7 Гбайт/с. Благодаря контроллеру, спроектированному и изготовленному с соблюдением передового 12-нм техпроцесса, устройство демонстрирует потрясающую вычислительную мощность. Схемотехникой предусмотрена поддержка до 8 каналов NAND Flash с 32CE, реализованы механизмы кэширования DDR4 SLC и соответствие в полном объеме требованиям спецификации на протокол NVMe 1.4.
Высокоскоростная 3D TLC NAND флэш-память, до1200 Mтранзакций/с
Пропускная способность микросхем флэш-памяти 3D TLC NAND Flash (количество слоев увеличено до 96) достигает 1200 МТранзакций/с, что на 50 % превосходит показатели микросхем предыдущего поколения и оказывает существенное влияние на прирост производительности.
Экстремальная производительность дисковой подсистемы
Благодаря новому PCIe 4.0-контроллеру 2-поколения Phison E18 твердотельные накопители AORUS Gen4 7000s Prem. SSD демонстрируют невероятную высокую скорость на операциях последовательного чтения/записи — до 7000 Мбайт/с и до 5500 Мбайт/с, соответственно. Производительность дисковой подсистемы на базе накопителей PCIe Gen4 в 2 раза превышает аналогичный показатель типовых устройств поколения PCIe Gen3. Новый уровень вычислений с дисковой подсистемой нового поколения – это игры без артефактов и прерываний, качественный рендеринг в приложениях для редактирования и потокового вещания мультимедийного контента.

Линейка AORUS

Емкость 1 ТБ

тип флэш-памяти TLC 3D NAND

Контроллер Phison PS5018-E18

Назначение для настольного компьютера

Форм-фактор 2280

Подключение

Интерфейсы PCI-E

Разъем M.2

Тип разъема M.2 2280, M

Тип PCI-E PCI-E 4.0 x4

Параметры накопителя

бъем буфера 1024 МБ

Скорость чтения 7000 МБ/с

Скорость записи 5500 МБ/с

Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) 700000 IOPS

Ударостойкость и ресурс работы

ремя наработки на отказ 1600000 ч 

Суммарное число записываемых байтов (TBW) 1400 ТБ

Функции

Поддержка технологий TRIM, NVMe, Шифрование данных

Дополнительно

Макс. рабочая температура 70 °C

Потребляемая мощность 8.4 Вт

Высота 44.7 мм

Длина 92 мм

Ширина 23.5 мм

Дополнительная информация фирменный радиатор M.2 Thermal Guard XTREME в комплекте